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深度好文!避免剪切自鎖和體積自鎖的單元技術(shù)

2023-05-04 22:51:58 來源:?jiǎn)袅▎袅?/span>

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(資料圖)

00 背景

剪切自鎖導(dǎo)致彎曲變形過剛,屬于幾何原因。當(dāng)薄型構(gòu)件受到彎曲時(shí)容易發(fā)生剪切自鎖。

體積自鎖導(dǎo)致變形過剛,屬于材料原因。當(dāng)泊松比接近或等于0.5時(shí)容易發(fā)生體積自鎖。

完全積分的低階的常規(guī)位移單元容易發(fā)生剪切自鎖和體積自鎖,所以它們很少被使用。完全積分的高階的常規(guī)位移單元也容易發(fā)生體積自鎖。

01 剪切自鎖

剪切自鎖導(dǎo)致彎曲變形過剛,產(chǎn)生物理上并不存在的切應(yīng)變,稱為寄生切應(yīng)變。

02 體積自鎖

當(dāng)材料為接近不可壓縮或完全不可壓縮時(shí)(泊松比接近或等于0.5),容易發(fā)生體積自鎖。體積自鎖導(dǎo)致變形過剛,產(chǎn)生物理上并不存在的虛假應(yīng)力。體積自鎖還可能導(dǎo)致求解不收斂。超彈性材料一般具備不可壓縮性。

平面應(yīng)變、軸對(duì)稱問題以及三維分析都可能發(fā)生體積自鎖。對(duì)于平面應(yīng)力,體積自鎖不會(huì)發(fā)生,因?yàn)槠矫嫱獾膽?yīng)變被用來滿足不可壓縮條件。

03 單元技術(shù)

ANSYS提供了5種避免剪切自鎖和體積自鎖的單元技術(shù):B-Bar;URI(統(tǒng)一縮減積分);ES(增強(qiáng)應(yīng)變);SES(簡(jiǎn)化增強(qiáng)應(yīng)變);Mixed U-P(混合UP)。

B-Bar、ES、SES不支持高階單元。

04?插入APDL方式修改單元技術(shù)

修改軟件默認(rèn)的單元技術(shù),需要在對(duì)應(yīng)幾何下插入APDL腳本。

比如,啟用混合UP單元技術(shù)。

05 查看分析中采用的單元技術(shù)

可以在求解信息中查看分析中采用的單元技術(shù)。

06 切換縮減積分和完全積分

WB界面中提供了縮減積分和完全積分的切換方法。

07 Solid-Shell技術(shù)

為準(zhǔn)確模擬薄到中等厚度板,可以使用特殊的Solid-Shell單元(SOLSH190),SOLSH190有2*2*2個(gè)積分點(diǎn)。

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